大家都知道，目前的国际半导体电荷存储技术主要有两种。一种是以内存为代表的易失性存储，一种是以U盘为代表的非易失性存储。前者的有点是写入速度快，但断电后数据无法保存。而后者则相反。
而现在，我国终于研发出了完美兼备二者优势的存储技术。据中新网消息，复旦大学微电子学院研发出了具有颠覆性的二维半导体准非易失性存储原型器件，开创了第三类存储技术技术。
值得注意的是，这种新型存储技术不但能保证断电后数据不会丢失，而且写入速度比目前U盘快 10000 倍，数据刷新时间是内存技术的 156 倍。更厉害的是，这种存储技术还可以保密信息，根据需求定制数据的保存周期，你可以让存储的数据 10 秒后消失，也可以让其 10 年后消失。
